三星、東芝及Intel 3D NAND閃存對比分析
NAND 閃存即將步入3D時代，目前3D NAND閃存生產(chǎn)廠商三星、東芝和SanDisk與Intel和美光的3D NAND閃存各有什么樣的特點呢？
三星是最早采用3D NAND(V-NAND)閃存的SSD，東芝和SanDisk的48層3D NAND閃存也在昨天開始向合作伙伴提供樣品，Intel和美光算是后來居上，2014年11月才公布了他們的產(chǎn)品，近日他們公開了更多資料，我們可以看看他們的新閃存與競爭對手有什么不同之處。
之前我們已經(jīng)知道，Intel和美光首先會推出32層256Gb/32GB MLC版本，改成TLC的話容量更是可以進(jìn)一步達(dá)到384Gb/48GB，2mm厚度就能塞下1TB的容量了，而終極目標(biāo)是推出10+TB的SSD。
根據(jù)AnandTech分享的資料，為了提高容量密度，他們的這款3D NAND閃存每die內(nèi)部將會使用4-plane(閃存片)的設(shè)計，雖然會帶來額外的延時，但同時也提供了比目前常見的2-plane設(shè)計閃存高1倍的讀寫吞吐量。
Intel和美光表示，他們的3D NAND的電荷存儲量和當(dāng)年50nm節(jié)點產(chǎn)品相當(dāng)，甚至稍微還要多些，是目前16nm節(jié)點的10倍，性能和可靠性都得到了保證。
傳統(tǒng)SSD閃存使用浮柵極MOSFET存儲電荷，晶體管的瑕疵會引起柵極與溝道之間短路，消耗柵極中的電荷，也就是說每次寫入都會消耗柵極的壽命，一旦消耗完了這一個cell單元也就掛了，而之前三星的V-NAND的解決辦法是改用電荷擷取閃存設(shè)計，電荷存儲在絕緣層上而非導(dǎo)體上，理論上就不會消耗這些電荷了。
不過隨后經(jīng)過證實，Intel和美光并沒有和三星、東芝和SanDisk一樣使用新的電荷存儲技術(shù)，而是沿用傳統(tǒng)的浮柵極，做這個決定的理由是這項技術(shù)比較成熟，而新技術(shù)還未經(jīng)過時間的考驗，不能說新的一定比舊的好。
容量密度問題得到了有效的解決，就無需再冒險使用更高級的制程工藝提高晶體管密度了，不過Intel和美光并沒有透露他們的3D NAND采用何種制程工藝，AnandTech猜測會在35-50nm之間(三星850 Pro用的是40nm，下一代會用30nm級別)。
至于耐用性方面，美光表示他們初期會將壽命定為3000次刷寫周期，大家可能覺得奇怪了，這不是跟目前的MLC閃存差不多么，人家三星V-NAND都高達(dá)35000次了。美光的說法是其實他們的消費級閃存都定在3000次，足夠普通用戶日常使用了，但這不代表是他們偷工減料，他們對自己的產(chǎn)品有信心。往后他們應(yīng)該還會繼續(xù)改進(jìn)設(shè)計，提高到10000+次也是有可能的(尤其是企業(yè)級閃存)。
然后關(guān)于Intel和美光的3D NAND的結(jié)構(gòu)，這次也終于被公布出來了，沒錯就是上面這張圖，AnandTech表示和他們對接的Intel/美光工程師都不太能理解這個結(jié)構(gòu)圖示，應(yīng)該是一個cell的內(nèi)部組成，描述每die之間以及與通道的連接方式，具體還是等以后官方公布吧。
最后說一下，我們對Intel和美光的3D NAND已經(jīng)有了一個初步的了解，但還是需要等他們公布更多的細(xì)節(jié)以確認(rèn)它和競爭對手同類技術(shù)的區(qū)別。另外他們現(xiàn)在已經(jīng)向部分合作伙伴發(fā)放測試樣品，接下來會在今年上半年開始量產(chǎn)，首批產(chǎn)品應(yīng)該會在明年上半年上市。
編輯：admin 最后修改時間：2017-08-19
